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当电机中的电能转化为机械功时，产生的“浪费”能量会导致设备发热，这部分能量通常被称为损耗。电机的效率，即有用功与输入能量的比率，是整体能耗的一个重要属性。电磁现象中影响扭矩和损耗的大部分因素与温度密切相关。因此 ... 扩展阅读
在此模型中，包含永磁体和非线性磁性材料的转子在相同磁性材料的定子内旋转。 定子周围绕组中产生的电压根据时间来计算。COMSOL Multiphysics 对通过装配和一致对进行的旋转进行建模， ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型，计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读
该模型演示如何使用形状优化来设计 ICP 反应器的线圈以获得均匀的等离子体。所研究的反应器是一个平面 ICP，其线圈沿径向分布。本例使用“优化”研究步骤来找到最佳线圈位置，以尽可能地减小反应器中心的电子密度梯度。此外 ... 扩展阅读
耳机与人耳紧密耦合，因此无法在用于扬声器的经典声自由场设置中测量耳机的灵敏度。测量时需要使用仿真人头和仿真人耳来准确表示耳机的使用情况。此模型演示一个全罩式耳机与通用仿真人耳的耦合分析。该模型使用“多孔弹性波 ... 扩展阅读
本教学案例使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，以此分析 InSb p 沟道场效应晶体管的直流特性，而不会大量消耗计算资源。量子阱沟道和靠近沟道的顶部绝缘体界面都应用了该限制效应 ... 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
本教学案例使用硅太阳能电池的简单一维模型来演示使用“半导体模块”建立和执行半导体仿真的基本步骤。用户定义表达式用于表示光生成率，结果显示太阳能电池的典型 I-V 曲线和 P-V 曲线。 ... 扩展阅读
此模型演示了地球磁场中非相对论质子的路径。 由于地球磁场的偶极性质，其中的电子和质子等带电粒子可能长时间处于稳定构型状态。 这些构型包括粒子从磁极快速反弹到磁极，并围绕地球漂移；与反弹运动相比，这种漂移运动较慢 ... 扩展阅读
本示例模型由多晶硅制成的双热臂热执行器组成，执行器由热膨胀驱动。其中通过焦耳热（电阻加热）获得使两个热臂变形，进而使执行器发生位移所需的温度升高。与冷臂相比，热臂的膨胀程度更大，从而导致执行器弯曲。 ... 扩展阅读