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本教程在二维中模拟具有 10 极转子和 12 槽定子的永磁电机，以捕捉一个电周期内的转矩脉动特性，并绘制转子和定子铁芯中的体积损耗密度分布图。 扩展阅读
本例使用全局模型研究中等压力条件下的 SF6/氩等离子体反应器，并包含重粒子热方程的求解。通过对输入功率和氩摩尔分数进行参数化扫描，深入分析了反应器的性能变化。 扩展阅读
此模型演示如何结合使用“磁场，仅电流”接口和“带初始化的稳态源扫描”研究来计算 12 个 PCB 线圈的电感矩阵。 扩展阅读
亥姆霍兹线圈是相互平行的一对相同的圆形线圈，它们之间相隔一个半径并进行缠绕，从而使电流沿相同的方向流过这两个线圈。这种绕组在两个线圈之间产生均匀磁场，其主分量与这两个线圈的轴平行。 ... 扩展阅读
含氯的等离子体放电通常用于微电子制造中半导体和金属的蚀刻。 本教学案例利用全局（体积平均）扩散模型研究氯等离子体放电，使用全局扩散模型运行仿真所需的时间比运行空间相关模型所需时间少得多，因此 ... 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
狭窄缝隙内的质量传输限制通常导致缝隙开口（口）和末端（尖端）之间的局部电化学性质显著不同，由于局部化学性质差异，可能发生腐蚀。示例对铁在乙酸/乙酸钠溶液中的缝隙腐蚀进行建模，再现了 Walton 的研究结果。 扩展阅读
In this example, the etching of silicon in a CF4/O2 plasma reactor is studied using a global model. ... 扩展阅读