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根据给定栅压的漏源电压,MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时,电流与电压呈线性关系,这是欧姆区;随着漏源电压的升高,引出电流开始饱和,这是饱和区;随着漏源电压进一步升高,进入击穿范围 ... 扩展阅读
本教程介绍“多孔介质传热”接口中提供的平均模型,用于在进行局部热平衡假设时计算有效导热系数。其中对孔隙率范围为 0 到 1,以及液相与固相之间的导热系数为 50 的模型进行了比较。 扩展阅读
硅 (Si) 是一种具有高容量的材料,因此常被添加到锂离子电池负极的石墨中使用。 由于锂-硅插层反应的平衡电位取决于电极的充放电历史,所以,硅-石墨混合电极可能表现出明显的热力学电压滞后(“路径依赖”)。 ... 扩展阅读
本例采用“修正剑桥黏土模型”和“扩展巴塞罗那基本土壤模型”对非饱和土层上浅基础的沉降和隆起进行分析,演示了由于地下水位线运动引起的孔隙吸力效应,以及由此造成的黏土层沉降和隆起。 扩展阅读
本例演示如何对受到随机振动的结构进行疲劳分析,并使用根据 Bendat 和 Dirlik 的循环计数模型对失效时间进行比较。 扩展阅读
本教学案例解释如何通过稳态源扫描 研究来提取集总矩阵。其中使用五终端系统电容矩阵来推断金属物体的位置,类似于现实世界中的电容式位置传感器。 本例说明了静电,边界元 接口支持的边界元法 (BEM) 的使用。 扩展阅读