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介电屏蔽边界条件旨在近似处理与周围环境相比具有较高相对介电常数的薄层材料。该边界条件可用于静电场建模。示例将使用介电屏蔽边界条件的模型与高保真模型进行了比较，讨论了这种边界条件的适用范围。 扩展阅读
随着集成电路 (IC) 技术的飞速发展，电路性能不断提升，尺寸日益缩小，识别并预防电路故障的各种因素变得尤为重要。 互连结构内的电迁移是导致电路故障的关键因素之一，其根本原因在于金属内部空位的积聚。 ... 扩展阅读
这个偶极天线阵列示例演示如何使用边界元法 (BEM) 进行经济高效的分析。在处理由金属散热器组成的大型阵列时，相较于有限元法 (FEM)，边界元法需要更少的计算资源。仿真结果描绘了一个由谐振频率为 1 GHz ... 扩展阅读
本模型演示如何在“电磁波，边界元”接口中使用边界元法来模拟光学八木-宇田天线。这种天线由点电偶极子驱动，通过背景场实现信号传播。本例计算天线周围的场分布和远场辐射方向图，显示出了高方向性。 扩展阅读
