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本教学案例演示如何在硅反型层的装置物理场仿真中使用密度梯度公式来包含量子限域效应。该公式只需要比传统的漂移-扩散方程增加适量的计算资源。因此，与其他更复杂的量子力学方法相比，采用此公式可以明显加快工程研究速度 ... 扩展阅读
本教学案例使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，以此分析 InSb p 沟道场效应晶体管的直流特性，而不会大量消耗计算资源。量子阱沟道和靠近沟道的顶部绝缘体界面都应用了该限制效应 ... 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
本模型演示如何建立 n-p-n 双极晶体管的三维仿真，它是双极晶体管模型中所示器件的三维版本，演示了如何使用 COMSOL Multiphysics 将半导体建模扩展为三维模式。 正如此模型的二维版本一样 ... 扩展阅读
本模型模拟在电磁波谱的红外部分发光的 LED。该器件结构由一个 p-n 结组成，通过在 n 型晶片上表面附近添加 p 型掺杂来制作一个层，由此可以形成 p-n 结。 这种器件的几何结构简单，且造价便宜，因此类似的 ... 扩展阅读
这个简单的基准模型采用有限元法和有限体积法计算一维 p-n 结的电势和载流子浓度。将结果与 Kramer 和 Hitchon 编著的 "Semiconductor Devices: A Simulation ... 扩展阅读
这个简单模型演示如何使用半导体光电子学接口对简单的砷化镓 PIN 二极管结构建模，其中分析了半导体中的激发和自发发射，通过自洽方式引入了相应的光吸收和复折射率的相关变化。 扩展阅读
此基准模型模拟砷化镓纳米线，其中使用自洽薛定谔-泊松理论计算电子密度分布和限制电势分布。预定义的薛定谔-泊松多物理场耦合特征与专用的薛定谔-泊松研究类型相结合，可简化模型设置和自动创建参数可调的自洽迭代的过程 ... 扩展阅读
本教学案例分别对 PIN 二极管对恒定辐射和脉冲辐射的响应进行稳态和瞬态分析。辐射效应被模拟为器件内电子-空穴对在空间上的均匀生成。在高剂量率下，所产生电荷的分离导致内部电场的降阶和过剩载流子的长期储存 ... 扩展阅读