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本模型演示如何建立 n-p-n 双极晶体管的三维仿真，它是双极晶体管模型中所示器件的三维版本，演示了如何使用 COMSOL Multiphysics 将半导体建模扩展为三维模式。 正如此模型的二维版本一样 ... 扩展阅读
这个基准示例构建两个跨桥开尔文电阻器模型，用于提取比接触电阻率。第一个模型使用“半导体”接口中内置的接触电阻特征，以三维模式模拟该系统。另一个模型是参考文献中开发的系统的二维近似，通过边界偏微分方程数学接口实现 ... 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的后半部分，我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是，现在可以像在真实设备中一样，沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读
本教学案例分别对 PIN 二极管对恒定辐射和脉冲辐射的响应进行稳态和瞬态分析。辐射效应被模拟为器件内电子-空穴对在空间上的均匀生成。在高剂量率下，所产生电荷的分离导致内部电场的降阶和过剩载流子的长期储存 ... 扩展阅读
本模型演示如何模拟碳化硅二极管中由碰撞电离引起的雪崩击穿，呈现了器件的电流-电压 (I-V) 特性及电场分布图。此外，还计算了载流子产生项，以展示击穿电流的路径。 扩展阅读
本模型演示如何将半导体 接口与固体传热 接口相耦合，对现有的双极晶体管模型在正向有源构型下工作的情况进行热分析。 半导体 接口用于计算器件内载流子的动力学和电流，并输出电过程产生的加热项。该加热项在物理场传热 ... 扩展阅读
本模型模拟在电磁波谱的红外部分发光的 LED。该器件结构由一个 p-n 结组成，通过在 n 型晶片上表面附近添加 p 型掺杂来制作一个层，由此可以形成 p-n 结。 这种器件的几何结构简单，且造价便宜，因此类似的 ... 扩展阅读
模型提取硅 p-n 结二极管的 SPICE 参数，用于创建半波整流器的集总元件等效电路模型。将模型与完整器件仿真进行了比较。在示例中，将二维网状 p-n 结二极管连接到包含正弦源、电阻器和接地的电路 ... 扩展阅读
本教学案例演示如何在硅反型层的装置物理场仿真中使用密度梯度公式来包含量子限域效应。该公式只需要比传统的漂移-扩散方程增加适量的计算资源。因此，与其他更复杂的量子力学方法相比，采用此公式可以明显加快工程研究速度 ... 扩展阅读
