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本研究对PVT法生长碳化硅晶体的气相输运过程进行了模拟，该模型包含了坩埚的内部和外部，而坩埚的接缝连接处被模拟为多孔石墨，可以允许内外气体进行交换。坩埚外部的流场情况为，氮气和氩气从PVT炉的底部通道流入，混合气体从PVT炉顶部流出。坩埚内部的流场情况为，碳化硅粉末升华产生SiC2，Si2C和Si蒸气并向上升华，在籽晶处沉积。同时，坩埚内部和外部的气体物质通过多孔接缝发生交换，氮气和氩气可通过多孔接缝扩散至内部，SiC2，Si2C和Si蒸气也可通过多孔接缝到达坩埚外部。碳化硅反应气体物质的升华和沉积用 Hertz-Knudsen来描述，对流和扩散由Navier-Stokes方程和混合平均扩散模型描述，同时考虑了Stefan流的影响。通过该模型，我们模拟了热场，气体流场，各气体组分的浓度分布，以及晶体的生长速度随实验条件的变化，还模拟了气体浓度随时间的变化过程。 该模型主要通过COMSOL构建了二维轴对称模型，其中应用了固体和流体传热，表面对表面辐射，层流，以及浓物质传递模块，还启用了多孔介质来连接两个流场。 该模型第一次描述了PVT法生长碳化硅晶体过程中坩埚内部和外部的气体输运情况，并将坩埚内外的气体流场进行了耦合，为理解碳化硅晶体生长的气体传质过程提供了良好的指导。