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本教学案例演示如何使用“ECAD 导入模块”和“设计模块”基于 GDS 文件来构建三维偏压谐振器几何，其中模拟半导体和 MEMS 制造工艺，从而更有效地构建三维几何，该操作过程对于那些熟悉半导体和 MEMS ... 扩展阅读
本教程演示一款陀螺仪的工作原理，其设计基于 Veryst Engineering, LLC. 的 James Ransley 博士提供的方案，模型中采用了混合有限元格式的“静电”接口与“机电”进行耦合。 扩展阅读
在 MESFET 中，栅极形成整流结，该整流结通过改变结的耗尽宽度来控制沟道的开口。 在此模型中，我们模拟了 n 掺杂砷化镓 MESFET 对不同漏极和栅压的响应。对于 n 型掺杂材料 ... 扩展阅读
本模型在分子和原子氢背景下，采用两项近似求解玻尔兹曼方程；并通过对电子能量分布函数在电子碰撞截面上的适当积分来计算电子迁移率和源项。 扩展阅读
本教程分析 InAs 纳米线 FET 的电导-栅极-电压 (G-Vg) 曲线的滞回现象，使用密度梯度理论将量子限域效应添加到传统的漂移-扩散公式中，不会大幅增加计算成本。这种滞后现象是由连续能量分布 ... 扩展阅读
具有连续旋转对称性的物体的电磁散射仿真可以在二维轴对称而不是三维模型中执行，从而大幅减少计算时间和资源。本模型演示如何利用柱坐标中的平面波展开来模拟二维轴对称模型中的任意平面波入射。欢迎阅读我们的博客文章 ... 扩展阅读
本例演示如何在三维空间中对 FinFET 进行建模仿真，以获取其电流-电压 (I-V) 特性。首先，通过扫描栅极电压，绘制出漏极电流与栅极电压的关系曲线。随后，在固定栅极电压条件下，进一步计算漏极电流随漏极电压变化的特性。 扩展阅读
抗反射涂层的设计在提高通过光学结构（如透镜和窗户）传播的红外光的透射率方面起着重要的作用。 该模型展示如何通过蚀刻具有特定微结构的体层的表面，将不同的体结构（例如分别具有 70% 和 79% 体透射率的硅和碲锌镉 ... 扩展阅读
本教学案例通过研究演示氙的瞬态负迁移率和负微分电导率效应。其中使用两项近似中的稳态和瞬态玻尔兹曼方程来计算电子能量分布函数。电子能量分布函数、电子平均能量和漂移速度与 Z. Donko 和 N. Dyatko ... 扩展阅读
