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本例演示如何在三维空间中对 FinFET 进行建模仿真，以获取其电流-电压 (I-V) 特性。首先，通过扫描栅极电压，绘制出漏极电流与栅极电压的关系曲线。随后，在固定栅极电压条件下，进一步计算漏极电流随漏极电压变化的特性。 扩展阅读
在二极管或晶体管中，当 p-n 结处于反向偏置状态（即 p 侧连接到比 n 侧更低的电位）时，理想情况下不应有电流通过。然而，由于少数载流子（p 侧的电子和 n 侧的空穴）的存在，实际中会产生微小电流 ... 扩展阅读
本例在“MOS 晶体管 (MOSFET) 的直流特性”模型基础上进行了优化升级，采用显式建模方法对金属和介电域进行精确描述，摒弃了传统的边界条件简化方式。通过这一改进，可以清晰观察到金属和绝缘体内部的电位分布。 扩展阅读
在 MESFET 中，栅极形成整流结，该整流结通过改变结的耗尽宽度来控制沟道的开口。 在此模型中，我们模拟了 n 掺杂砷化镓 MESFET 对不同漏极和栅压的响应。对于 n 型掺杂材料 ... 扩展阅读
本例展示序列式手动变速箱的建模过程，重点解析了如何通过旋转换档鼓实现齿轮的顺序选择。换挡鼓的圆周表面刻有两条特定轮廓的凹槽，随着鼓体的旋转，这些凹槽会引导一组换挡拨叉运动，确保目标齿轮的顺利啮合。 ... 扩展阅读
这个简单模型演示如何使用半导体光电子学接口对简单的砷化镓 PIN 二极管结构建模，其中分析了半导体中的激发和自发发射，通过自洽方式引入了相应的光吸收和复折射率的相关变化。 扩展阅读
根据给定栅压的漏源电压，MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围 ... 扩展阅读
小型加热电路应用广泛，例如，在制造过程中加热反应流体。本教学案例中的器件由沉积在玻璃板上的电阻层组成，向电路施加电压时，电阻层引起焦耳热，导致结构变形，电阻层的属性决定了产生的热量。 ... 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的后半部分，我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是，现在可以像在真实设备中一样，沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读