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本模型演示如何模拟碳化硅二极管中由碰撞电离引起的雪崩击穿，呈现了器件的电流-电压 (I-V) 特性及电场分布图。此外，还计算了载流子产生项，以展示击穿电流的路径。 扩展阅读
废水处理是去除污染物的多步骤过程，首先，通过沉淀、浮选和过滤除去较大的固体颗粒，第二步，通过生物处理使较小的颗粒聚集，形成所谓的絮状物，这些絮状物可通过沉淀等处理方法更容易地去除。 在圆形二沉池中 ... 扩展阅读
本例研究在点对面配置中产生的直流等离子体弧的电气和热特性。其中假设放电处于局部热力学平衡状态，将等离子体视为一种导电流体介质，并使用磁流体动力学方法进行建模。该模型演示如何使用“感应/直流耦合平衡放电 ... 扩展阅读
本 App 的第一部分计算了由石英玻璃制成的直型阶跃折射率光纤的模式。 第二部分则分析了曲率半径为 3 mm 的弯曲阶跃折射率光纤的传播模式和辐射损耗，演示了如何求解平均功率模式半径，以及如何利用该参数计算有效模式折射率。 扩展阅读
此基准模型模拟砷化镓纳米线，其中使用自洽薛定谔-泊松理论计算电子密度分布和限制电势分布。预定义的薛定谔-泊松多物理场耦合特征与专用的薛定谔-泊松研究类型相结合，可简化模型设置和自动创建参数可调的自洽迭代的过程 ... 扩展阅读
在半导体制造过程中，光刻胶涂覆是一项关键的工艺，需要精确控制光刻胶层的厚度。通常，通过旋涂来减小光刻胶层的厚度，其基本原理是利用离心力将晶圆表面多余的光刻胶甩出，通过调整材料属性和旋转速度等参数 ... 扩展阅读
本例演示如何模拟具有各向异性材料属性的纸板卷在不同环境条件下的水分迁移和诱导膨胀现象。 扩展阅读
本教学案例使用“半导体模块”中的“薛定谔方程”物理场接口求解谐波势阱中玻色-爱因斯坦凝聚基态的 Gross-Pitaevskii 方程，此方程本质上是非线性单粒子薛定谔方程，其势能贡献与局部粒子密度成正比 ... 扩展阅读
由轧钢制成的薄壁容器会受到内部超压的作用。由于制造方法的影响，三个材料主方向之一的面外方向的屈服应力高于另外两个方向，Hill 正交各向异性塑性用于模拟屈服强度的差异 ... 扩展阅读