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本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
此模型介绍如何分析一个简单的、基于悬臂梁的压电能量采集器，其中向能量采集器施加了一个正弦加速度，计算了随频率、载荷阻抗及加速度大小变化的输出功率。 扩展阅读
本例在“MOS 晶体管 (MOSFET) 的直流特性”模型基础上进行了优化升级，采用显式建模方法对金属和介电域进行精确描述，摒弃了传统的边界条件简化方式。通过这一改进，可以清晰观察到金属和绝缘体内部的电位分布。 扩展阅读
