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离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH ... 扩展阅读

本例模拟单极静电吸盘上 4 英寸晶圆的压力相关加热。该晶圆在环的顶部被静电力压住，以抵抗在晶片与吸盘表面之间的间隙中流动的气体产生的向上压力。这是一个包含 4 个耦合物理场（SM、ES、LF 和 HT）和动网格的问题 ... 扩展阅读

本例中的模型演示“电路提取器”插件的多个用例，该插件能够基于求解的物理场生成电路。 欢迎阅读博客文章“从电磁仿真中提取电路”，了解有关本教学案例的更详细描述。 扩展阅读

此模型分析压电微机电系统 (MEMS) 扬声器。该扬声器由四个三角形膜组成，其中使用一层锆钛酸铅 (PZT) 材料，并且硅层顶部有两个电极作为执行器。三角形膜由狭窄的气隙隔开，从而使膜具有较大的挠度 ... 扩展阅读

本教学案例演示一种概念性的静电扬声器驱动器的完整电-振动声学分析，这是一种由位于两个穿孔金属板（称为网格或定子）之间的薄导电塑料隔膜组成的驱动器。当音频信号施加到网格（异相）时，带电隔膜和两侧的网格之间会产生静电力 ... 扩展阅读

碳化硅 (SiC) 外延炉是专为生产和制备 SiC 外延片而设计的核心设备。本示例模型演示基于物理气相传输 (PVT) 法制备 SiC 外延片的过程。通过感应线圈加热 SiC 粉末，当温度达到特定值后，粉末开始升华 ... 扩展阅读

本模型演示一种基于单元类型划分网格的技术。通过首先对边界层进行网格划分，然后分割并创建新的网格，可以避免对感应加热零件的内部体进行建模，其中的集肤深度与零件尺寸相比较小，但仍然足够大到需要使用边界层网格。 扩展阅读

本例中的模型演示如何通过用户定义的集总端口和集总元件在导体之间引入激励和集总电路元件。在其他一些模型中，演示了如何使用阻抗和过渡边界条件而不是体积方法来模拟导体。 欢迎阅读博客文章“结合运用体积导体模型和集总元件” ... 扩展阅读

本模型对射频热损耗问题使用了五种不同的公式和方法进行求解，研究对象为插入了同轴电缆的有损介电材料样本。结果表明，在广泛的频带范围内，这些不同的公式所得到的结果是一致的。 如需了解有关此模型的更多信息 ... 扩展阅读

本例模型演示计算任意放置的几何结构上场积分的四种不同方法，这些几何结构可以重新定位，而无需重新求解模型。 如果要在不同的子区域上对模型结果积分，而不想将这些子区域包含在原始计算模型中，这种方法也很有用。 ... 扩展阅读