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在 MESFET 中，栅极形成整流结，该整流结通过改变结的耗尽宽度来控制沟道的开口。 在此模型中，我们模拟了 n 掺杂砷化镓 MESFET 对不同漏极和栅压的响应。对于 n 型掺杂材料 ... 扩展阅读
天线阵列是一组辐射元件。通过控制分配给每个天线元件的输入信号的相位和幅度，以及阵列元件的数量，能够以优选的增益水平在预计方向上引导辐射方向图。在本例中，从单个馈电点向 4x2 的贴片天线阵列馈电 ... 扩展阅读
通过自由空间传播的平面电磁波以一定角度入射到无限电介质。模型计算反射系数和透射系数，并与菲涅尔方程给出的结果进行了比较。 扩展阅读
用二维轴对称方法可以轻松对大型反射器进行建模。在本模型中，反射器的半径大于 20 个波长，并且反射器受到轴向圆形馈电喇叭天线照射。模拟得到的远场结果显示了高增益窄波束图。 扩展阅读
本教学案例使用硅太阳能电池的简单一维模型来演示使用“半导体模块”建立和执行半导体仿真的基本步骤。用户定义表达式用于表示光生成率，结果显示太阳能电池的典型 I-V 曲线和 P-V 曲线。 ... 扩展阅读
从微带贴片天线生成圆极化的一种方法是截断贴片辐射器。本模型基于 GPS 频率范围进行调谐，计算了轴比来反应圆极化的程度。 扩展阅读
本教学案例分别对 PIN 二极管对恒定辐射和脉冲辐射的响应进行稳态和瞬态分析。辐射效应被模拟为器件内电子-空穴对在空间上的均匀生成。在高剂量率下，所产生电荷的分离导致内部电场的降阶和过剩载流子的长期储存 ... 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的后半部分，我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是，现在可以像在真实设备中一样，沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读