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使用含辐射装置的消费电子产品的用户会受到射频 (RF) 发射的影响。辐射量被定义为比吸收率 (SAR)。也就是说，SAR 值表示人体吸收的射频 (RF) 能率。本例中，我们将一个在 Wi-Fi ... 扩展阅读
本模型演示以 Brewster 角入射在两种介质界面的高斯光束的偏振属性。 其中介绍如何使用“电磁波，波束包络”物理场接口和用户定义的相位规范，“匹配边界条件”特征用于吸收在非法向方向入射到边界的波。 扩展阅读
本例介绍如何为动态锥形驱动器扬声器建模，这种扬声器常用于中低频。分析在频域中进行，因此可以表示驱动器的线性特性。模型分析包括额定驱动电压下的总电阻抗和轴上声压级随频率变化的情况，驱动器的空间特性通过方向性图描述。 ... 扩展阅读
微带滤波器可以直接布设在印刷电路板 (PCB) 上，输入端与输出端之间有微带线，沿微带线接有多条一定长度和宽度的分支线。滤波器的设计涉及选择微带线的阻抗、微带分支线的阻抗以及分支线的长度。 ... 扩展阅读
本例对一台 400kVA、15kV/400V 三相电力变压器进行电磁分析，该变压器采用 Y-d 连接，具有多个数百匝的初级线圈和次级线圈。该模型的特点是在二维轴对称和三维仿真中进行标准的开路和短路测试 ... 扩展阅读
本模型采用单向波公式，通过“波束包络”接口模拟高斯光束到拉盖尔高斯光束成形。输入光束是具有拓扑螺旋相位的聚焦高斯光束。 众所周知，这种相位掩模可以将高斯光束转换为环形光束。光束传播时，相位绕光轴旋转。因此 ... 扩展阅读
本例是由 Veryst Engineering, LLC. 的 James Ransley 博士提供的梳驱动音叉陀螺仪教学案例，演示完全参数化的几何，广泛使用各种选择特征，实现了机电力和响应计算的解析公式 ... 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
本例模拟电子盒中潮湿空气的热力学演化，检测当外界环境属性变化时是否会出现冷凝。模型中导入测试的空气温度、压力和水蒸气浓度等数据。盒内水蒸气浓度并不均匀，因此需要考虑水蒸气的传递和扩散。 扩展阅读
