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电屏蔽边界条件用于对高导电薄层材料进行近似处理，这种材料提供的额外电流路径与边界相切。示例将电屏蔽边界条件与全保真模型进行了比较，并讨论了该边界条件的适用范围。 扩展阅读

接触阻抗边界条件用于对薄层材料进行近似处理，这种薄层材料可阻止垂直于边界的电流流动，但不会引入与边界相切的任何额外传导路径。示例将接触阻抗边界条件与全保真模型进行了比较，并讨论了该边界条件的适用范围。 扩展阅读

超导材料在一定的临界电流密度下具有零电阻率，超过该临界电流密度后，超导材料电阻率迅速增大。为了对这种材料建模，此模型使用具有二阶矢量单元的“一般形式偏微分方程”接口。 此模型是根据意大利米兰 CESI ... 扩展阅读

双脊喇叭天线因其在宽带频率范围内的可靠性能而广泛应用于电波暗室，用于描述被测天线 (AUT) 从 S 波段到 Ku 波段的特征。本教学案例模拟双脊喇叭天线，并计算电压驻波比 (VSWR)、远场辐射方向图和天线方向性。 ... 扩展阅读

过去十年的发展使电路量子电动力学 (cQED) 成为了量子计算的领先架构。cQED 是腔量子动力学（cavity QED）的固态版本，用于研究量子水平上的基本光-物质相互作用。本模型研究 cQED 的主要组件之一 ... 扩展阅读

本教学案例演示如何耦合三个物理场接口以对蒸发冷却进行建模，需要考虑的效应包括传热、水蒸气输送和流体流动。其中使用“湿表面”特征来实现水蒸气的源项，并计算蒸发热源。此外，还使用“湿空气”特征来准确定义与湿度相关的热力学属性。 扩展阅读

金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型 ... 扩展阅读

本三维模型案例演示了如何使用“一次电流分布”接口模拟电化学池中的电流分布。 在一次电流分布中，假定由于电极动力学和质量传递引起的电位损耗可以忽略不计，并且电池中的电流分布由欧姆损耗决定。这里您将研究高负载 (100 ... 扩展阅读

本案例研究了热桥中的热传导，热桥由铁棒和隔热层组成，后者用于将内部热表面与外部冷表面隔开。内外侧之间的热通量和外壁上的最高温度与公开值进行了比较。 本例对应于欧洲标准 EN ISO 10211:2007 ... 扩展阅读

本示例模型由多晶硅制成的双热臂热执行器组成，执行器由热膨胀驱动。其中通过焦耳热（电阻加热）获得使两个热臂变形，进而使执行器发生位移所需的温度升高。与冷臂相比，热臂的膨胀程度更大，从而导致执行器弯曲。 ... 扩展阅读