MOSCAP 小信号分析 - 一维

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金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块,其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型,使用小信号分析方法计算低频和高频 C-V 曲线。模型采用准费米能级公式和“半导体平衡”研究步骤。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模: