模型提取硅 p-n 结二极管的 SPICE 参数，用于创建半波整流器的集总元件等效电路模型。将模型与完整器件仿真进行了比较。在示例中，将二维网状 p-n 结二极管连接到包含正弦源、电阻器和接地的电路，形成基本半波整流器电路，建立器件模型。为了验证仿真结果，将器件仿真的输出与使用大信号二极管模型获得的电路响应进行了比较。

离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH 传感器教学案例阐明在半导体模型与电解质模型之间建立耦合的过程，还展示了使用简单的全局方程提取操作参数的技术，无需对实际反馈电路进行显式建模。

该 App 计算 AlGaN/InGaN LED 的发射属性，还计算外加电压下的发射强度、光谱和效率，或这几个参数在选定的电压范围内随电压变化的情况。可以改变发光 InGaN 区域中的铟成分，来控制发射波长。发射发生在可见光谱内时，会显示相应的颜色。 这里使用“半导体模块”计算整个器件的载流子动力学以及相应的电致发光。

本案例演示了如何建立简单的双极晶体管模型，计算了共发射极配置中的输出电流-电压特性，并确定了共发射极电流增益。

随着外加场平行分量的增大，载流子可以获得高于环境热能的能量，并且能够通过光学声子发射将场获得的能量传递到晶格。光学声子发射产生的效应导致载流子迁移率饱和。Caughey Thomas 迁移率模型将高场速度散射添加到现有的迁移率模型（或恒定输入迁移率模型）。 此模型演示如何使用 Caughey-Thomas 高场饱和模型对电子和空穴迁移率进行建模。场相关迁移率使得已经高度非线性的问题更加非线性。在高场极限条件下，有必要使用延拓方法实现收敛。

表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响，尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 此模型演示如何使用 Lombardi 表面迁移率模型来计算简单 MOSFET 中的电子迁移率，将流入终端的电流密度分布和总电流与迁移率恒定的情况进行比较。

在 MESFET 中，栅极形成整流结，该整流结通过改变结的耗尽宽度来控制沟道的开口。 在此模型中，我们模拟了 n 掺杂砷化镓 MESFET 对不同漏极和栅压的响应。对于 n 型掺杂材料，电子浓度预计会比空穴浓度大几个数量级。因此，可以使用多数载流子选项来计算自由度较少的精确解，然后通常需要使用电子和空穴公式。 这两种方法得到的解非常一致，但多数载流子公式的求解速度要快一倍。

此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。

根据给定栅压的漏源电压，MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围，其中的电流随着外加电压的小幅增大呈指数增长，这是由碰撞电离导致的。 此模型介绍如何使用瞬态求解器对 MOSFET 中的碰撞电离进行建模，

本教学案例使用硅太阳能电池的简单一维模型来演示使用“半导体模块”建立和执行半导体仿真的基本步骤。用户定义表达式用于表示光生成率，结果显示太阳能电池的典型 I-V 曲线和 P-V 曲线。 本例没有详细模拟光伏效应产生的载流子生成机制，为了简单起见，改用任意用户定义表达式来表示生成率，另外，采用 Shockley-Read-Hall 模型来捕获主复合效应。在正常操作条件下，光生载流子被扫掠到 p-n 结耗尽区的每一侧。施加较小的顺向偏压来提取由光电流和外加电压的乘积给出的电功率。 请阅读相关博客文章，了解有关本例的更多细节：“用半导体模块分析硅太阳能电池设计”。