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本案例模拟了施加正弦时变压差的电容器,分析了较宽的频率范围,并计算了器件的阻抗。解决了求解器精度,讨论了器件的频域阻抗与稳态电容和电阻之间的关系。 扩展阅读
操作:使用 EC 外部 I 终端 “电路”(CIR) 接口中的“外部耦合”有两种使用方式:“外部 I vs. U”和“外部 I 终端”。前者包含两个节点(表示差分外部电压测量),当与电流接口(EC)的“终端 ... 扩展阅读
亥姆霍兹共振器广泛应用于排气系统中,用于减少特定窄频带的噪声。当系统内部存在流动时,共振器的声学属性及其所在子系统的传输损耗均会发生变化。本教学案例研究了一个作为支路连接至主导管的亥姆霍兹共振器 ... 扩展阅读
本例是一个在频域中求解的 MEMS 麦克风模型,其中包含直流预应力效应。模型使用“机电”多物理场接口、“热黏性声学”和“压力声学”接口建立,其中麦克风由穿孔板和预应力膜组成,其中引入了“滑移壁 ... 扩展阅读
本案例展示了如何结合外部电路,对电容器的进行瞬态模拟,其中包括了电容器的有限元模型,以及含电压源和电阻的电路模型。施加电压阶跃变化,计算通过电容器的瞬态电流,并将结果与解析结果进行比较。 扩展阅读
化学气相沉积 (CVD) 是一种用于在基底表面生长薄膜的工艺。本例演示了一种机械加工刀具领域的 CVD 工艺,研究如何在金属刀片表面涂覆一层氮化钛 (TiN),不仅能通过提高表面硬度 ... 扩展阅读
