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低介电常数薄间隙边界条件，用于静电场模拟，近似处理与周围介质相比较而言具有较低相对介电率的薄层材料。本例比较低介电常数薄间隙边界条件和全场模型，讨论了这种边界条件的应用范围。 扩展阅读
这个介绍性模型创建了一个简单的静电问题模型，其中包含两个无限长的同心圆柱体，这是教科书中常见的一个案例。由于这个问题有解析解，因此可以将理论结果与仿真的数值结果进行比较。这里考虑两种情况：一种是两个圆柱体上具有固定电位 ... 扩展阅读
介电屏蔽边界条件旨在近似处理与周围环境相比具有较高相对介电常数的薄层材料。该边界条件可用于静电场建模。示例将使用介电屏蔽边界条件的模型与高保真模型进行了比较，讨论了这种边界条件的适用范围。 扩展阅读
本案例模拟了施加正弦时变压差的电容器，分析了较宽的频率范围，并计算了器件的阻抗。解决了求解器精度，讨论了器件的频域阻抗与稳态电容和电阻之间的关系。 扩展阅读
本教学案例演示如何使用“集总电池”接口对电池容量损失进行建模，在假设电池电极的内部结构或设计以及材料选择都未知的前提下，使用一组集总参数来描述电池的寄生反应引起的容量损失。 老化分析包括日历寿命和循环寿命研究。 扩展阅读
双势垒结构因其在共振隧穿二极管等半导体器件中的应用而受到关注。 此验证示例演示如何在薛定谔方程 接口中建立简单的一维砷化镓/铝砷化镓双势垒结构，分析准束缚态及其时间演化、共振隧穿现象以及透射随能量变化的情况 ... 扩展阅读
