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此模型使用“高马赫数流动”接口对收缩和扩张喷管中的高速湍流气流进行建模。此装置中包含超音速流动,其入口处的流动是亚音速,但由于收缩和较低的出口压力,流动加速并在喉部变为音速 (Ma = 1)。 ... 扩展阅读
操作:使用 EC 外部 I 终端 “电路”(CIR) 接口中的“外部耦合”有两种使用方式:“外部 I vs. U”和“外部 I 终端”。前者包含两个节点(表示差分外部电压测量),当与电流接口(EC)的“终端 ... 扩展阅读
在二极管或晶体管中,当 p-n 结处于反向偏置状态(即 p 侧连接到比 n 侧更低的电位)时,理想情况下不应有电流通过。然而,由于少数载流子(p 侧的电子和 n 侧的空穴)的存在,实际中会产生微小电流 ... 扩展阅读
本教学案例演示如何使用“集总电池”接口对电池容量损失进行建模,在假设电池电极的内部结构或设计以及材料选择都未知的前提下,使用一组集总参数来描述电池的寄生反应引起的容量损失。 老化分析包括日历寿命和循环寿命研究。 扩展阅读
双势垒结构因其在共振隧穿二极管等半导体器件中的应用而受到关注。 此验证示例演示如何在薛定谔方程 接口中建立简单的一维砷化镓/铝砷化镓双势垒结构,分析准束缚态及其时间演化、共振隧穿现象以及透射随能量变化的情况 ... 扩展阅读
复合材料中的界面破坏或脱层可以使用“内聚力模型”(CZM) 进行模拟。内聚力模型的关键组成部分是牵引-分离定律,该定律描述脱层尖端附近内聚区的软化过程。本例介绍如何通过“多层壳 ... 扩展阅读
本模型模拟金纳米球对平面光波的散射;计算光学频率范围内的散射,在该范围内,金可以被建模为复介电常数为负值的材料,并计算远场模式和损耗。 扩展阅读
这个概念性示例演示了如何计算接触模型中的临界点。该模型由使用“壳”接口建模的两个接触拱组成,其中采用罚函数法求解接触问题。上部拱承受位移控制的边载荷,并被压向下部拱。在载荷增大过程中,我们发现下部拱发生突弹跳变现象 ... 扩展阅读
