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热管理已经成为当今电子系统的一个重要方面,电子系统通常包含许多耗散大量热量的高性能电路,其中有许多元件需要进行有效的冷却来防止过热,处理器等元件需要带有冷却翅片的散热器,这些翅片采用风扇强制通风 ... 扩展阅读
此模型模拟在电磁波谱的红外部分发光的 LED。该器件结构由一个 p-n 结组成,通过在 n 型晶片上表面附近添加 p 型掺杂来制作一个层,由此可以形成 p-n 结。 这种器件的几何结构简单,且造价便宜,因此类似的 ... 扩展阅读
本例模拟一个静电驱动的 MEMS 谐振器。该装置由平行板电容器上施加的交流 + 直流偏压驱动。其中计算谐振器的吸合和释放电压。这是通过对从初始松弛状态一直到吸合平坦状态的整个运动范围的位移-电压轨迹执行准静态分析完成的。 扩展阅读
本教学案例演示如何设置简单的静态结构分析,以组合扳手为例,分析对螺栓施加扭矩时的受力情况。尽管很简单,并且几乎没有工程师会在尝试转动螺栓之前进行结构分析,但本例很好地演示了如何在 COMSOL Multiphysics ... 扩展阅读
在 MESFET 中,栅极形成整流结,该整流结通过改变结的耗尽宽度来控制沟道的开口。 在此模型中,我们模拟了 n 掺杂砷化镓 MESFET 对不同漏极和栅压的响应。对于 n 型掺杂材料 ... 扩展阅读
这个简单模型演示如何使用半导体光电子学接口对简单的砷化镓 PIN 二极管结构建模,其中分析了半导体中的激发和自发发射,通过自洽方式引入了相应的光吸收和复折射率的相关变化。 扩展阅读
根据给定栅压的漏源电压,MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时,电流与电压呈线性关系,这是欧姆区;随着漏源电压的升高,引出电流开始饱和,这是饱和区;随着漏源电压进一步升高,进入击穿范围 ... 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的后半部分,我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是,现在可以像在真实设备中一样,沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读
这个双热臂热执行器教学案例耦合了三种不同的物理现象:电流传导、含热量生成的传热以及热膨胀引起的结构应力和应变。 该模型有三个版本: 微执行器焦耳热 (thermalactuatorjh.mph) ... 扩展阅读