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在二极管或晶体管中，当 p-n 结处于反向偏置状态（即 p 侧连接到比 n 侧更低的电位）时，理想情况下不应有电流通过。然而，由于少数载流子（p 侧的电子和 n 侧的空穴）的存在，实际中会产生微小电流 ... 扩展阅读
本模型演示如何模拟一个简单的金属-绝缘体-金属 (MIM) 二极管，通过使用“金属接触”特征，在二极管的两侧分别定义了金属电极，并进行了两个研究：第一个研究忽略了势垒的量子隧穿效应，而第二个研究则通过“WKB 隧穿模型 ... 扩展阅读
本例演示如何模拟一个简化的肖特基二极管，这是一种四层 PNPN 结构的半导体器件，也被称为晶闸管。本模型使用“解析掺杂模型”节点来定义各个域的掺杂分布，并通过瞬态研究计算了电流-电压 (I-V) 特性。 扩展阅读
