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超高真空化学气相沉积 中文
化学气相沉积 (CVD) 是半导体工业中常用的在晶片基板顶部生长高纯度固体材料层的工艺。 使用许多不同的技术在从大气压到超高真空 (UHV/CVD) 的压力范围内实现 CVD。 UHV/CVD 在低于 10-6 ... 扩展阅读
离子注入真空系统中的分子流 中文
“离子注入机计算器”App 分析离子注入系统的设计。离子注入在半导体工业中广泛用于将掺杂剂注入到晶片。 在离子注入机内，离子源内产生的离子经电场加速，获得所需的注入能量。通过磁分离方式使离子束弯曲 ... 扩展阅读
S 弯中的分子流 中文
本案例计算了通过 S 弯几何结构的传输概率，其中使用“自由分子流”接口中的角系数方法，以及“数学粒子追踪”接口中的蒙特卡洛方法。两种方法计算得出的传输概率非常一致，差异不足 1%%。需要“粒子追踪模块”。 扩展阅读
单向分子流中的旋转板 中文
此模型计算在高度定向分子流中旋转的板表面的粒子通量、数密度和压力。将获得的结果与其他计算分子流的近似技术所得结果进行了比较。 扩展阅读
RF 耦合器中的分子流 中文
这个模型计算了通过 RF 耦合器的传输概率，其中使用“自由分子流”接口中的角系数方法，以及“数学粒子追踪”接口中的蒙特卡洛方法。两种方法计算得出的传输概率非常一致，差异不足 1%%。需要“粒子追踪模块”。 扩展阅读
负载锁定真空系统中水的吸附和解吸 中文
本案例介绍了如何模拟低压下真空系统中水的瞬态吸附和解吸。当打开负载锁的闸阀后，水被引入到系统中，模型对随后水的迁移和泵送进行建模。 扩展阅读
电荷交换室中质子束的中和 中文
气室在科学仪器的设计中有多种应用，用于定义仪器主真空系统内的高压区。例如，在该 App 中，请注意，我们正在设计一个 100 mm 长的高压区，碰撞池内部的工作压力为 1e-3 Torr ，主真空系统压力为 1e-5 ... 扩展阅读