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此模型模拟在电磁波谱的红外部分发光的 LED。该器件结构由一个 p-n 结组成，通过在 n 型晶片上表面附近添加 p 型掺杂来制作一个层，由此可以形成 p-n 结。 这种器件的几何结构简单，且造价便宜，因此类似的 ... 扩展阅读
本例演示如何在三维空间中对 FinFET 进行建模仿真，以获取其电流-电压 (I-V) 特性。首先，通过扫描栅极电压，绘制出漏极电流与栅极电压的关系曲线。随后，在固定栅极电压条件下，进一步计算漏极电流随漏极电压变化的特性。 扩展阅读
本例模拟一个静电驱动的 MEMS 谐振器。该装置由平行板电容器上施加的交流 + 直流偏压驱动。其中计算谐振器的吸合和释放电压。这是通过对从初始松弛状态一直到吸合平坦状态的整个运动范围的位移-电压轨迹执行准静态分析完成的。 扩展阅读
在二极管或晶体管中，当 p-n 结处于反向偏置状态（即 p 侧连接到比 n 侧更低的电位）时，理想情况下不应有电流通过。然而，由于少数载流子（p 侧的电子和 n 侧的空穴）的存在，实际中会产生微小电流 ... 扩展阅读
本例在“MOS 晶体管 (MOSFET) 的直流特性”模型基础上进行了优化升级，采用显式建模方法对金属和介电域进行精确描述，摒弃了传统的边界条件简化方式。通过这一改进，可以清晰观察到金属和绝缘体内部的电位分布。 扩展阅读
本例展示序列式手动变速箱的建模过程，重点解析了如何通过旋转换档鼓实现齿轮的顺序选择。换挡鼓的圆周表面刻有两条特定轮廓的凹槽，随着鼓体的旋转，这些凹槽会引导一组换挡拨叉运动，确保目标齿轮的顺利啮合。 ... 扩展阅读
这个简单模型演示如何使用半导体光电子学接口对简单的砷化镓 PIN 二极管结构建模，其中分析了半导体中的激发和自发发射，通过自洽方式引入了相应的光吸收和复折射率的相关变化。 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的后半部分，我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是，现在可以像在真实设备中一样，沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读
随着外加场平行分量的增大，载流子可以获得高于环境热能的能量，并且能够通过光学声子发射将场获得的能量传递到晶格。光学声子发射产生的效应导致载流子迁移率饱和。Caughey Thomas ... 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读