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本例在“MOS 晶体管 (MOSFET) 的直流特性”模型基础上进行了优化升级，采用显式建模方法对金属和介电域进行精确描述，摒弃了传统的边界条件简化方式。通过这一改进，可以清晰观察到金属和绝缘体内部的电位分布。 扩展阅读
本例展示序列式手动变速箱的建模过程，重点解析了如何通过旋转换档鼓实现齿轮的顺序选择。换挡鼓的圆周表面刻有两条特定轮廓的凹槽，随着鼓体的旋转，这些凹槽会引导一组换挡拨叉运动，确保目标齿轮的顺利啮合。 ... 扩展阅读
在二极管或晶体管中，当 p-n 结处于反向偏置状态（即 p 侧连接到比 n 侧更低的电位）时，理想情况下不应有电流通过。然而，由于少数载流子（p 侧的电子和 n 侧的空穴）的存在，实际中会产生微小电流 ... 扩展阅读
根据给定栅压的漏源电压，MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围 ... 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的后半部分，我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是，现在可以像在真实设备中一样，沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
此模型介绍如何建立 n-p-n 双极晶体管的三维仿真，它是双极晶体管模型中所示器件的三维版本，演示了如何使用 COMSOL Multiphysics 将半导体建模扩展为三维模式。 正如此模型的二维版本一样 ... 扩展阅读
由于脱层或剥离而产生的界面破坏可以通过内聚力模型 (CZM) 来模拟。本例显示了如何实现遵从双线性拉伸分离定律的 CZM。预测了混合模式软化起点和复合材料剥离的发展。 扩展阅读
用复合材料代替铝来制造轮辋是目前的发展趋势。主要原因是较低的簧下质量值会导致更快的响应时间，从而带来更好的加速、制动和转弯性能。通常，碳纤维复合材料用于制造复合轮辋。 为了理解和改进复合材料轮辋的设计，我们在 ... 扩展阅读