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MOSFET 击穿

Application ID: 15583


本例显示如何使用瞬态求解器来模拟一个 MOSFET 在碰撞电离作用下击穿。一般情况下,MOSFET 通常在一个给定的门电压的汲-源电压的三个范围内工作。刚开始时,电流-电压是线性关系,这是欧姆区;随着汲-源电压的增加,汲取电流开始饱和,这是饱和区;当汲-源电压继续上升达到击穿范围时,电流随着电压变为指数关系。这是由碰撞电离导致的。

本案例使用的模块如下:

半导体模块

针对您的实际问题,建模所需的 COMSOL® 产品组合取决于定义该问题的物理场接口。特定的物理场接口可能同时包含于多个产品中(参见技术规格表获取更多详细信息)。在您为一个项目确定最佳的产品组合时,我们建议您首先明确自身的所有需求,然后通过以下几种方式依据需求选取所需的产品:了解各个产品的功能、咨询 COMSOL 销售和技术支持团队,以及使用试用许可证进行软件试用。