MOSFET 击穿

Application ID: 15583


本例显示如何使用瞬态求解器对金属氧化物场效应管 (MOSFET) 在碰撞电离作用下的击穿进行建模。MOSFET 通常在一个栅压给定的汲-源电压的三个范围内工作。起初,电流-电压呈线性关系,这是欧姆区。随着汲-源电压的增加,汲取电流开始饱和,这是饱和区。当汲-源电压继续上升达到击穿范围时,电流随外加电压的微小变动呈指数递增,这由碰撞电离导致。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:

半导体模块