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操作:使用 EC 外部 I 终端 “电路”(CIR) 接口中的“外部耦合”有两种使用方式:“外部 I vs. U”和“外部 I 终端”。前者包含两个节点(表示差分外部电压测量),当与电流接口(EC)的“终端 ... 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书(2008 年版,第 256 页),模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
本教学案例演示如何在硅反型层的装置物理场仿真中使用密度梯度公式来包含量子限域效应。该公式只需要比传统的漂移-扩散方程增加适量的计算资源。因此,与其他更复杂的量子力学方法相比,采用此公式可以明显加快工程研究速度 ... 扩展阅读
在本例中,工程材料的属性通过空间变化的电介质分布来模拟。具体来说,凸透镜形状是通过矩形域的已知变形来定义的。电介质分布在未变形的原始矩形域上定义,并映射到凸透镜的已变形形状上。虽然这里定义的透镜形状是凸透镜 ... 扩展阅读
在日常的建模工作中,并非所有的分析项目都可以直接从 CAD 模型开始进行。有时,唯一可用的数据只有一组点,也称为点云。这里提供的示例文件说明了如何将点云数据转换为几何模型,以便在 COMSOL ... 扩展阅读