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这个教学案例求解由简谐势阱束缚的旋转玻色-爱因斯坦凝聚体中涡格形成的 Gross–Pitaevskii 方程,这本质上是一个非线性单粒子薛定谔方程,粒子间的相互作用通过与局部粒子密度成比例的势能贡献表示 ... 扩展阅读
本教学案例使用“半导体模块”中的“薛定谔方程”物理场接口求解谐波势阱中玻色-爱因斯坦凝聚基态的 Gross-Pitaevskii 方程,此方程本质上是非线性单粒子薛定谔方程,其势能贡献与局部粒子密度成正比 ... 扩展阅读
表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响,尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 ... 扩展阅读
本教学案例演示如何在硅反型层的装置物理场仿真中使用密度梯度公式来包含量子限域效应。该公式只需要比传统的漂移-扩散方程增加适量的计算资源。因此,与其他更复杂的量子力学方法相比,采用此公式可以明显加快工程研究速度 ... 扩展阅读
本教程分析 InAs 纳米线 FET 的电导-栅极-电压 (G-Vg) 曲线的滞回现象,使用密度梯度理论将量子限域效应添加到传统的漂移-扩散公式中,不会大幅增加计算成本。这种滞后现象是由连续能量分布 ... 扩展阅读
本模型演示如何基于一般的漂移-扩散模型来模拟电解质栅极有机场效应晶体管,其中使用“稳定对流-扩散方程”和“静电”接口,并显示晶体管特性的可视化效果。所模拟器件中 EDL 的形成过程展示了 EGOFET 的关键特性。 扩展阅读