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通过密度梯度分析法研究 InAs 纳米线 FET 中的表面阱诱导滞回线 中文

本教程分析 InAs 纳米线 FET 的电导-栅极-电压 (G-Vg) 曲线的滞回现象,使用密度梯度理论将量子限域效应添加到传统的漂移-扩散公式中,不会大幅增加计算成本。这种滞后现象是由连续能量分布 ... 扩展阅读

MESFET 的直流特性 中文

在 MESFET 中,栅极形成整流结,该整流结通过改变结的耗尽宽度来控制沟道的开口。 在此模型中,我们模拟了 n 掺杂砷化镓 MESFET 对不同漏极和栅压的响应。对于 n 型掺杂材料 ... 扩展阅读

硅反型层的密度梯度和薛定谔-泊松结果 中文

本教学案例演示如何在硅反转层的装置物理场仿真中使用密度梯度公式来包含量子限域效应。该公式只需要比传统的漂移-扩散方程增加适量的计算资源。因此,与其他更复杂的量子力学方法相比,采用此公式可以明显加快工程研究速度 ... 扩展阅读

玻色-爱因斯坦凝聚 Gross-Pitaevskii 方程 中文

本教学案例使用“半导体模块”中的“薛定谔方程”物理场接口求解谐波势阱中玻色-爱因斯坦凝聚基态的 Gross-Pitaevskii 方程,此方程本质上是非线性单粒子薛定谔方程,其势能贡献与局部粒子密度成正比 ... 扩展阅读

Lombardi 表面迁移率 中文

表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响,尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 ... 扩展阅读

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