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Semiconductor Modulex

MOSCAP 一维模型 中文

金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块,其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型,计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读

沟槽栅 IGBT 三维模型 中文

在这个由两部分组成的示例的后半部分,我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是,现在可以像在真实设备中一样,沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读

纳米线 MOSFET 的密度梯度三维仿真 中文

本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应,而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟,并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读

MOSFET 小信号分析 中文

本模型展示了如何计算 MOSFET 的交流特性,根据漏极电流计算了器件的输出电导和跨导。 扩展阅读

PIN 二极管的正向恢复 中文

本教学案例基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书(2008 年版,第 242 页),模拟一个简单 PIN ... 扩展阅读

MOSCAP 的界面陷阱效应 中文

本教学案例将文献中的实验数据与包含界面陷阱(表面状态)的 MOSCAP COMSOL 模型求解结果进行比较,其中使用“陷阱辅助表面复合”特征模拟陷阱电荷的影响以及陷阱捕获和发射载流子的过程 ... 扩展阅读

Caughey-Thomas 迁移率 中文

随着外加场平行分量的增大,载流子可以获得高于环境热能的能量,并且能够通过光学声子发射将场获得的能量传递到晶格。光学声子发射产生的效应导致载流子迁移率饱和。Caughey Thomas ... 扩展阅读

沟槽栅 IGBT 二维模型 中文

在这个由两部分组成的示例的前半部分,我们构建一个沟槽栅 IGBT 二维模型,然后在后半部分将其扩展成三维模型。通常,最有效的方法是从二维模型开始,以确保一切按预期工作,然后再将其扩展到三维。本例将 Caughey ... 扩展阅读

MOSCAP 小信号分析 - 一维 中文

金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块,其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型 ... 扩展阅读

PIN 二极管的反向恢复 中文

本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书(2008 年版,第 256 页),模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读