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异质结 - 一维 中文

这个基准模型模拟三种不同构型的异质结在正向和反向偏压下的特性,显示了使用连续准费米能级公式与热电子发射公式计算异质结中的电荷转移的差异;通过模拟每种构型的能级并进行比较,阐明了电荷转移的起源,即 ... 扩展阅读

PIN 二极管中的辐射效应 中文

本教学案例分别对 PIN 二极管对恒定辐射和脉冲辐射的响应进行稳态和瞬态分析。辐射效应被模拟为器件内电子-空穴对在空间上的均匀生成。在高剂量率下,所产生电荷的分离导致内部电场的降阶和过量载流子的长期储存 ... 扩展阅读

使用 k.p 法分析应变纤锌矿 GaN 能带结构 中文

此基准模型计算未发生应变和发生应变的块状 GaN 纤锌矿晶体的价带结构,为想要使用“薛定谔方程”接口建立多个波函数分量的用户提供教学案例。该模型遵循 Chuang 和 Chang 在参考资料中给出的公式 ... 扩展阅读

MOSFET 迁移率模型 中文

本模型展示了如何在已有的简单 MOSFET 案例模型中,添加多个链接的迁移率模型。 扩展阅读

浮栅 EEPROM 器件的编程过程 中文

此模型计算浮栅“电可擦除可编程只读存储器”(EEPROM) 器件的电流和电荷特性。稳态研究针对两种不同电荷存储量计算电流-电压曲线随控制栅压的变化,从而演示改变存储在浮栅上的电荷的效果 ... 扩展阅读

InSb p 沟道场效应晶体管的密度梯度分析 中文

本教学案例使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应,以此分析 InSb p 沟道场效应晶体管的直流特性,而不会大量消耗计算资源。量子阱沟道和靠近沟道的顶部绝缘体界面都应用了该限制效应 ... 扩展阅读

超晶格带隙工具 中文

“超晶格带隙工具”模型有助于设计由两种交替半导体材料(超晶格)构成的周期性结构。此模型采用有效质量薛定谔方程来估计给定超晶格结构中的电子和空穴基态能级。器件工程技术人员可以使用此模型快速计算给定周期结构的有效带隙 ... 扩展阅读

硅纳米线环栅元件的表面陷阱 中文

环栅 MOSFET 由纳米线组成,纳米线周围缠绕着栅电极。由于整个纳米线形成沟道,因此这一构型可以实现对沟道的最佳静电控制,并为 MOSFET 的小型化提供了非常好的备选方案。 ... 扩展阅读

砷化镓纳米线的自洽薛定谔-泊松结果 中文

此基准模型模拟砷化镓纳米线,其中使用自洽薛定谔-泊松理论计算电子密度分布和限制电势分布。预定义的薛定谔-泊松多物理场耦合特征与专用的薛定谔-泊松研究类型相结合,可简化模型设置和自动创建参数可调的自洽迭代的过程 ... 扩展阅读

MOSCAP 一维模型 中文

金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块,其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型,计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读