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在 MESFET 中，栅极形成整流结，该整流结通过改变结的耗尽宽度来控制沟道的开口。 在此模型中，我们模拟了 n 掺杂砷化镓 MESFET 对不同漏极和栅压的响应。对于 n 型掺杂材料 ... 扩展阅读
本教学案例使用“半导体模块”中的“薛定谔方程”物理场接口求解谐波势阱中玻色-爱因斯坦凝聚基态的 Gross-Pitaevskii 方程，此方程本质上是非线性单粒子薛定谔方程，其势能贡献与局部粒子密度成正比 ... 扩展阅读
本模型演示如何模拟一个简单的金属-绝缘体-金属 (MIM) 二极管，通过使用“金属接触”特征，在二极管的两侧分别定义了金属电极，并进行了两个研究：第一个研究忽略了势垒的量子隧穿效应，而第二个研究则通过“WKB 隧穿模型 ... 扩展阅读
