纳米线 MOSFET 的密度梯度三维仿真

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本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应,而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟,并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域,密度梯度有效质量呈各向异性。各种选择实用程序的使用可以简化物理场设置和绘图选择的分配。仿真结果与参考文献中发表的 Id-Vg 曲线和电子密度分布非常一致。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模: