Caughey-Thomas 迁移率

Application ID: 15561


本例演示如何使用 Caughey-Thomas 高场饱和模型来研究电子和空穴的迁移率。随场发生变化的迁移率会带来一系列问题,因为它产生了很强的非线性,因此有必要使用连续性研究来扩展得到高场限制中的收敛性。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:

半导体模块