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Caughey-Thomas 迁移率

Application ID: 15561


本案例演示如何使用 Caughey-Thomas 高场饱和模型来研究电子和空穴的迁移率。随场发生变化的迁移率会带来一系列问题,因为它产生了很强的非线性。有必要使用连续性研究来扩展得到高场限制中的收敛性。

本案例使用的模块如下:

半导体模块

针对您的实际问题,建模所需的 COMSOL® 产品组合取决于定义该问题的物理场接口。特定的物理场接口可能同时包含于多个产品中(参见技术规格表获取更多详细信息)。在您为一个项目确定最佳的产品组合时,我们建议您首先明确自身的所有需求,然后通过以下几种方式依据需求选取所需的产品:了解各个产品的功能、咨询 COMSOL 销售和技术支持团队,以及使用试用许可证进行软件试用。