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Caughey-Thomas 迁移率

Application ID: 15561


本案例演示如何使用 Caughey-Thomas 高场饱和模型来研究电子和空穴的迁移率。随场发生变化的迁移率会带来一系列问题,因为它产生了很强的非线性。有必要使用连续性研究来扩展得到高场限制中的收敛性。

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Semiconductor Module