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金属氧化物场效应管(MOSFET)的直流特征

Application ID: 14609


本案例计算一个简单的 MOSFET 的直流特征。首先计算了汲电流对栅压的关系,用来确定器件的电压阈值。然后计算了不同栅压下的汲电流 vs 汲电压特征。通过这些结果图,可以分析出器件的线性区和饱和区。

本案例使用的模块如下:

半导体模块

针对您的实际问题,建模所需的 COMSOL® 产品组合取决于定义该问题的物理场接口。特定的物理场接口可能同时包含于多个产品中(参见技术规格表获取更多详细信息)。在您为一个项目确定最佳的产品组合时,我们建议您首先明确自身的所有需求,然后通过以下几种方式依据需求选取所需的产品:了解各个产品的功能、咨询 COMSOL 销售和技术支持团队,以及使用试用许可证进行软件试用。