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金属氧化物场效应管(MOSFET)的直流特征

Application ID: 14609


本案例计算一个简单的 MOSFET 的直流特征。首先计算了汲电流对栅压的关系,用来确定器件的电压阈值。然后计算了不同栅压下的汲电流 vs 汲电压特征。通过这些结果图,可以分析出器件的线性区和饱和区。

本案例使用的模块如下:

半导体模块