InSb p 沟道场效应晶体管的密度梯度分析

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本教学案例使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应,以此分析 InSb p 沟道场效应晶体管的直流特性,而不会大量消耗计算资源。量子阱沟道和靠近沟道的顶部绝缘子界面都应用了该限制效应。本例演示各向异性密度梯度有效质量矩阵的使用,以及配置一般场相关迁移率模型的技巧。基于二维模型得到空穴密度分布和 Id-Vg 曲线,并将其与参考文献中发表的数据进行比较,结果表现出高度的一致性。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模: