使用水平集方法分析扩散控制的枝晶生长
Application ID: 87791
本例演示微结构带电极阵列 (MEA) 上铜的扩散控制电沉积。 模型中使用“稀物质传递”接口求解铜离子通过菲克扩散进行的质量传递，并使用“水平集”接口捕获扩散控制的电沉积导致的枝晶生长，其中电沉积速度根据模型中的扩散通量来指定。仿真结果显示，与 MEA 中的内电极相比，外围电极的枝晶生长更为迅速。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
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