InGaN/AlGaN 双异质结 LED

Application ID: 20299


此模型模拟 GaN 基发光二极管器件,计算了发射强度、光谱和效率随驱动电流变化的情况,模拟了带隙的直接辐射复合,以及非辐射俄歇复合和陷阱辅助复合过程。仿真结果表明,发射强度随着电流的增加而呈次线性增加,这是 LED 器件的共同特性,称为“LED 光效下降”。请注意,该模型未包含薄有源区内的量子限制效应。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:

半导体模块