PIN 二极管中的辐射效应

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本教学案例分别对 PIN 二极管对恒定辐射和脉冲辐射的响应进行稳态和瞬态分析。辐射效应被模拟为器件内电子-空穴对在空间上的均匀生成。在高剂量率下,所产生电荷的分离导致内部电场的降阶和过量载流子的长期储存。由于无法获得解析解,因此只能通过数值仿真对这种现象进行定量预测。本例演示了在高反向偏压、与场相关的迁移率和瞬态研究情况下实现收敛的多种技术。计算出的载流子浓度和电场分布与参考文献非常吻合。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模: