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Schottky 接触

Application ID: 16367


这是一个标准案例,模拟由硅片上沉积钨制造的理想 Schottky 势垒二极管。在正向偏压模型得到的 J-V 曲线(电流密度 vs. 电压)与文献中的实验测试结果进行了对比。

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Semiconductor Module