Schottky 接触

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该基准模型模拟由硅晶片上沉积钨触点制成的理想 Schottky 势垒二极管。在正向偏压下得到模型的 J-V 曲线(电流密度 vs. 外加电压)与文献中的实验测试结果进行了对比。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:

半导体模块