肖特基接触

Application ID: 16367


本案例模拟了由沉积在硅晶片上的钨触点制成的理想 Schottky 势垒二极管,案例中将计算所得的正向偏压下的 J-V(电流密度 vs. 外加电压)曲线与文献中的实验测量结果进行了比较。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:

半导体模块