表面化学反应教程模型

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本例介绍如何将表面反应和物质添加到化学气相沉积 (CVD) 这类研究过程中。本教程模拟硅在晶片上的生长,并演示系统中的总质量和摩尔浓度守恒。最后,研究了沉积硅高度随时间的变化情况。首先用全局(体积平均)模型,然后用空间相关模型,来研究同一物理场问题。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:

等离子体模块