使用等离子体模块的表面化学教程

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表面化学通常是反应流建模中被忽视的方面。此教学模型演示如何将表面反应和物质添加到化学气相沉积 (CVD) 这类研究过程中,模拟了硅在晶片上的生长。\n\n最初,该示例使用全局模型来研究包含复杂化学物质的广泛参数区域。然后,建立并运行空间相关模型。仔细分析系统中的总体质量平衡,同时研究质量平均速度与扩散速度之间的差异。模型演示系统中的总质量和摩尔浓度守恒。最后,研究了沉积硅高度随时间变化的情况。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:

等离子体模块