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本模型演示如何使用吸收介质中的辐射束 接口来计算半透明材料的加热情况，其中分析了高斯分布激光束如何对硅晶片上沉积的两种不同半透明材料进行加热。 如需了解该模型的更详细描述，请阅读我们的博客文章 ... 扩展阅读
本例描述当流体因两个矩形板（其中一个具有多孔表面）之间的相对运动而受到挤压时，如何模拟流体薄膜在这两个板之间的间隙中的流动，并考虑了流体在多孔材料与薄膜区域之间的进出情况。 扩展阅读
本例是一个意大利面挤压过程的教学案例，演示如何模拟面团在意大利面挤压机计量区的非等温流动，并考虑了水合粗麦面团的温度相关材料属性。 扩展阅读
本例介绍如何通过在较小的基本单元中创建详细的流体流动模型来计算多孔材料的渗透率。模型仿真结果是材料的集总渗透率，可在使用达西定律或 Brinkman 方程的均质模型中使用，渗透率显示在“结果 -> 派生值”节点下。 ... 扩展阅读
化学气相沉积 (CVD) 是半导体工业中常用的在晶片基板顶部生长高纯度固体材料层的工艺。 使用许多不同的技术在从大气压到超高真空 (UHV/CVD) 的压力范围内实现 CVD。 UHV/CVD 在低于 10-6 ... 扩展阅读
涕灭威是一种商用杀虫剂，用于棉花、水果、土豆和豆类等多种作物，人们可能会因摄入受污染的水和食物而受到涕灭威的危害。 本例分析涕灭威及其有毒副产物的降解动力学，研究降解时间尺度以及有毒成分的空间浓度分布。 ... 扩展阅读
本模型使用离散坐标法 (DOM) 求解发射、吸收和线性各向异性散射有限柱状介质中的三维辐射传热问题。使用 DOM 的 S6 积分可更快地得出更精确的结果，这正是传热组合模式所需要的 ... 扩展阅读
“离子注入机计算器”App 分析离子注入系统的设计。离子注入在半导体工业中广泛用于将掺杂剂注入到晶片。 在离子注入机内，离子源内产生的离子经电场加速，获得所需的注入能量。通过磁分离方式使离子束弯曲 ... 扩展阅读
废水处理是去除污染物的多步骤过程，首先，通过沉淀、浮选和过滤除去较大的固体颗粒，第二步，通过生物处理使较小的颗粒聚集，形成所谓的絮状物，这些絮状物可通过沉淀等处理方法更容易地去除。 在圆形二沉池中 ... 扩展阅读