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基于表面等离激元的电路广泛应用于等离子体光子芯片、光产生和纳米刻蚀等应用领域。“表面等离激元线光栅分析仪”App 计算介电基板上表面等离激元光栅的折射系数、镜面反射及一阶衍射随入射角的变化。 此模型描述光栅的基本单元 ... 扩展阅读
在扩散双电层和电极表面附近几个纳米内，由于电荷分离，电中性假设无效。通常，在模拟包括电化学电容器和微电极中的电解质的非常薄的电解质层时，可能需要研究扩散双电层。示例介绍如何将 Nernst-Planck ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型，计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读
改变光偏振的能力对于多种光学器件来说都是至关重要的，例如，光的偏振对光隔离器、衰减器和分光器的性能有显著影响。通过为光指定特定的偏振（主要是线性偏振或圆偏振），可以显著减少光学系统中的炫光。 ... 扩展阅读
本例模拟药物从生物材料基质到受损细胞组织的释放。具体来说，神经导管将再生药物传递至受损的神经末梢。模型涉及详细的药物释放动力学，其中速率表达式处理药物解离/缔合反应以及通过酶催化的基质降解，酶反应由 Michaelis ... 扩展阅读
介电屏蔽边界条件旨在近似处理与周围环境相比具有较高相对介电常数的薄层材料。该边界条件可用于静电场建模。示例将使用介电屏蔽边界条件的模型与高保真模型进行了比较，讨论了这种边界条件的适用范围。 扩展阅读
本教学案例利用“粒子束”特征研究高精度光谱仪的性能。离子束受到电力和磁力的作用，只有一小部分入射离子束传送到检测器。“粒子计数器”特征用于计算传输概率，并将传递离子束的标称轨迹可视化。 扩展阅读
本教学模型基于 Jock 等人关于自旋轨道量子比特的论文，求解均匀磁场中简单硅量子点的两分量薛定谔方程的特征态。模型中使用了“薛定谔方程”接口的内置“洛伦兹力”域条件来考虑矢势对动量的贡献；同时，采用内置的“零阶哈密顿 ... 扩展阅读
