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含氯的等离子体放电通常用于微电子制造中半导体和金属的蚀刻。 本教学案例利用全局（体积平均）扩散模型研究氯等离子体放电，使用全局扩散模型运行仿真所需的时间比运行空间相关模型所需时间少得多，因此 ... 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
本例使用全局模型来研究中等压力下的氢等离子体反应器，其中包含重物质热方程。在研究的第一部分中，我们使用了麦克斯韦电子能量分布函数；第二部分则采用两项近似的玻尔兹曼方程来自洽地求解全局模型。 扩展阅读
表面化学反应通常是反应流建模中被忽视的方面。这个教学案例演示如何将表面反应和物质添加到化学气相沉积 (CVD) 这类研究过程中，随后模拟硅在晶片上的生长。 最初，使用全局模型来研究包含复杂化学物质的广泛参数区域。然后 ... 扩展阅读
本教学模型对 SF6/氩混合气体中的电感耦合等离子体反应器进行求解，计算了流体流动和气体加热过程。此外，还探讨了模拟负电性放电的关键特性及建模策略。 扩展阅读
本教学案例求解氩气/氧气混合物中的电感耦合等离子体反应器。该模型计算流体流动和气体加热，并讨论对电负性放电进行建模的重要方面和策略。 扩展阅读