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这是使用“多匝线圈域”的单相 E 磁芯变压器的瞬态模型,其中包含磁芯中非线性 B-H 曲线的影响,并演示如何使用“电路”接口将变压器模型连接到外部电路。本例对两种不同的情况进行仿真:第一种情况的匝数比为 1 ... 扩展阅读
本教程系列以两种不同的方式描述如何组织更为复杂的几何。 扩展阅读
我们可以设计材料的结构,使得介电常数和磁导率都为负值,这些材料通过设计尺度特征与波长相当的周期性结构来实现。可以对这种材料的单个基本单元进行建模,也可以对一大块折射率为负值的材料的属性进行建模 ... 扩展阅读
本教学案例基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书(2008 年版,第 242 页),模拟一个简单 PIN ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块,其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型,计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读
通过对材料的结构进行设计,可以使其介电常数和磁导率都为负值。实际工程中,常常通过尺度特征与波长相当的周期性结构来实现。我们可以对这种材料的单个基本单元进行建模,也可以对一大块折射率为负值的材料的属性进行建模 ... 扩展阅读
本案例基于一维对称扩散分析,模拟了微观薄层中的穷举安培检测这种常见的电分析方法。模拟结果与解析 Cottrell 方程在短时间内相一致,长时间来看,当扩散层跨越薄层电解池时,同预计的一样,二者发生偏离。 扩展阅读