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本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
本例使用全局模型来研究中等压力下的氢等离子体反应器，其中包含重物质热方程。在研究的第一部分中，我们使用了麦克斯韦电子能量分布函数；第二部分则采用两项近似的玻尔兹曼方程来自洽地求解全局模型。 扩展阅读
表面化学反应通常是反应流建模中被忽视的方面。这个教学案例演示如何将表面反应和物质添加到化学气相沉积 (CVD) 这类研究过程中，随后模拟硅在晶片上的生长。 最初，使用全局模型来研究包含复杂化学物质的广泛参数区域。然后 ... 扩展阅读
铜电解沉积是通过使外部电流通过电解池并使用不溶性阳极从电解质溶液中提取铜并将其沉积在阴极表面的过程。在此过程中，阳极表面产生氧气泡，导致阳极和阴极表面之间有较大的回流区，这需要两相流建模。 在此模型中 ... 扩展阅读
这组验证模型及相关文档研究电磁力计算的精度，其中利用各种技术，确定了刚体上的总力和扭矩，并将这两个值与解析模型进行了比较。 通过采用圆角、高级网格划分以及外部力-探针表面，精度大大提高，比较了边界元法 (BEM) ... 扩展阅读
人们常使用压力互易校准法来校准高保真测量麦克风。在校准过程中，两个麦克风分别连接在一个闭合圆柱型腔的两端。了解这类腔体中的声场在此过程中尤为重要，包括所有热黏性声效应，例如 ... 扩展阅读
