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表面化学反应教程模型

本例介绍如何将表面反应和物质添加到化学气相沉积 (CVD) 这类研究过程中。本教程模拟硅在晶片上的生长,并演示系统中的总质量和摩尔浓度守恒。最后,研究了沉积硅高度随时间的变化情况。首先用全局(体积平均)模型,然后用空间相关模型,来研究同一物理场问题。

偶极微波等离子体源

本例研究了通过电子回旋共振 (ECR) 维持的偶极微波等离子体源。从电磁波向等离子体注入的功率沉积只发生在一个很狭窄的共振区域,其中的稳态磁通密度等于共振通量密度 (0.0875 T)。

需要“等离子体模块”、“AC/DC 模块”和“RF 模块”。

电容耦合等离子体

该 App 提供了一个一维电容耦合等离子体内的瞬时和周期性稳态解。可以输入几何、压力和外加电压,以及要求解的 RF 循环的频率和数量。除了绘制瞬时绘图和时间平均绘图外,还计算了功率沉积和电流的全局量。

离子能量分布函数

本例计算了电感耦合等离子体中氩离子的离子能量分布函数 (IEDF) 。离子初始设为 Maxwellian 分布函数,随后受到稀薄的背景气体的弹性碰撞和电荷交换反应的共同作用。

Applying a Current-Voltage Switch to Models

This example exemplifies how to model the switching between current and voltage excitations in *Terminal* boundary conditions. A more detailed description of the phenomenon and the modeling process can be seen in the blog post "[Control Current and Voltage Sources with the AC/DC Module](https://www.comsol.com/blogs/control-current-and-voltage-sources-with-the-acdc-module/)".

无极灯

本例研究无极灯中的发射谱和电能转换成光能的机理。此模型在本质上是等离子体充当辅助作用的变换器,其中包含 96 种反应和 12 种物质。

一维 GEC CCP 反应器,氩化学

NIST GEC CCP 反应器提供了研究电容耦合等离子体的平台。本例研究在频率为 13.56MHz 的正弦静电场中功率沉积到等离子体中的机理。

氧气 Boltzmann 分析

本教程比较了计算得到的漂移管中氧气放电时的漂移速度与实验的结果。

氩气 Boltzmann 分析

本教程研究氩气放电时,对电子的能量分布函数设置不同的参数及速率系数产生的效果。

功率沉积到双频电容耦合等离子体中的谐波量

在时变静电场和电容耦合等离子体 (CCP) 中的电子间发生的能量传递并不完全发生在二倍的 RF 频率时。由于静电场和电子间的功率传递过程是高度非线性的,因此功率沉积将发生在比二倍频更高的频率。对于双频 CCP 反应器,在很多不同频率上会存在功率沉积的谐波量。

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