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Semiconductor Modulex

砷化镓 p-n 结红外发光二极管

此模型模拟在电磁波谱的红外部分发光的 LED。该器件结构由一个 p-n 结组成,通过在 n 型晶片上表面附近添加 p 型掺杂来制作一个层,由此可以形成 p-n 结。 这种器件的几何结构简单,且造价便宜,因此类似的 LED 常用于电视机遥控器中的红外发射器等许多家用电器。 在此模型中,使用*光跃迁* 特征计算此器件的电致发光,计算了电子特性并评估了光的产生效率。此外,通过将辐射重合的空间分布可视化,可以给出设计建议来将输出光的总效率最大化。 扩展阅读

肖特基接触

本案例模拟了由沉积在硅晶片上的钨触点制成的理想 Schottky 势垒二极管,案例中将计算所得的正向偏压下的 J-V(电流密度 vs. 外加电压)曲线与文献中的实验测量结果进行了比较。 扩展阅读

波长可调 LED 中文

该 App 计算 AlGaN/InGaN LED 的发射属性,还计算外加电压下的发射强度、光谱和效率,或这几个参数在选定的电压范围内随电压变化的情况。可以改变发光 InGaN 区域中的铟成分,来控制发射波长。发射发生在可见光谱内时,会显示相应的颜色。 这里使用“半导体模块”计算整个器件的载流子动力学以及相应的电致发光。 扩展阅读

双极晶体管的热分析

此模型演示如何将*半导体* 接口与*固体传热* 接口相耦合,对现有的[双极晶体管模型](/model/bipolar-transistor-14615)在正向有源构型下工作的情况进行热分析。 *半导体* 接口用于计算器件内载流子的动力学和电流,并输出电过程产生的加热项。该加热项在*物理场传热* 接口中用作热源,来计算整个器件内的温度分布。 *物理场传热* 接口中的温度分布用于指定*半导体* 接口中的晶格温度,从而改变电属性并引起加热项变化,得到一个全耦合模型。 扩展阅读

双极晶体管

本案例演示了如何建立简单的双极晶体管模型,计算了共发射极配置中的输出电流-电压特性,并确定了共发射极电流增益。 扩展阅读

超晶格带隙工具 中文

“超晶格带隙分析工具”App 有助于设计由两种交替的半导体材料(超晶格)构成的周期性结构,该工具使用有效质量薛定谔方程来估算给定超晶格结构中电子和空穴的基态能级 ... 扩展阅读

异质结隧穿

This benchmark model simulates a graded heterojunction using the thermionic emission formulation for the ... 扩展阅读

砷化镓纳米线的自洽薛定谔-泊松结果

This benchmark model simulates a GaAs nanowire using the self-consistent Schrödinger-Poisson theory to ... 扩展阅读

异质结一维模型

这个基准模型模拟三种不同构型的异质结在正向和反向偏压下的特性,显示了使用连续准费米能级公式与热电子发射公式计算异质结中的电荷转移的差异;通过模拟每种构型的能级并进行比较,阐明了电荷转移的起源,即,主要源自价带中的空穴还是导带中的电子。本例将针对每种构型计算的 I-V 曲线与文献结果进行了比较;并在各个研究步骤的设置过程中演示了提高收敛性的多种方法。 扩展阅读

MOSFET 击穿

根据给定栅压的漏源电压,MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时,电流与电压呈线性关系,这是欧姆区;随着漏源电压的升高,引出电流开始饱和,这是饱和区;随着漏源电压进一步升高,进入击穿范围,其中的电流随着外加电压的小幅增大呈指数增长,这是由碰撞电离导致的。 此模型介绍如何使用瞬态求解器对 MOSFET 中的碰撞电离进行建模, 扩展阅读