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Semiconductor Modulex

玻色-爱因斯坦凝聚 Gross-Pitaevskii 方程

本教学案例使用“半导体模块”中的“薛定谔方程”物理场接口求解谐波势阱中玻色-爱因斯坦凝聚基态的 Gross-Pitaevskii 方程,此方程本质上是非线性单粒子薛定谔方程,其势能贡献与局部粒子密度成正比。特征值研究不适合求解此类非线性特征值问题,因而本例结合使用稳态研究和加强波函数归一化的全局方程来求解基态解。正如我们预计的,大量粒子的结果与 Thomas-Fermi 近似的结果非常一致。 扩展阅读

Lombardi 表面迁移率

表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响,尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 此模型演示如何使用 Lombardi 表面迁移率模型来计算简单 MOSFET 中的电子迁移率,将流入终端的电流密度分布和总电流与迁移率恒定的情况进行比较。 扩展阅读

Caughey-Thomas 迁移率

随着外加场平行分量的增大,载流子可以获得高于环境热能的能量,并且能够通过光学声子发射将场获得的能量传递到晶格。光学声子发射产生的效应导致载流子迁移率饱和。Caughey Thomas 迁移率模型将高场速度散射添加到现有的迁移率模型(或恒定输入迁移率模型)。 此模型演示如何使用 Caughey-Thomas 高场饱和模型对电子和空穴迁移率进行建模。场相关迁移率使得已经高度非线性的问题更加非线性。在高场极限条件下,有必要使用延拓方法实现收敛。 扩展阅读

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