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纳米线 MOSFET 的密度梯度三维仿真 中文
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
MESFET 的直流特性 中文
在 MESFET 中，栅极形成整流结，该整流结通过改变结的耗尽宽度来控制沟道的开口。 在此模型中，我们模拟了 n 掺杂砷化镓 MESFET 对不同漏极和栅压的响应。对于 n 型掺杂材料 ... 扩展阅读
提取跨桥开尔文电阻器的比接触电阻率 中文
这个基准示例构建两个跨桥开尔文电阻器模型，用于提取比接触电阻率。第一个模型使用“半导体”接口中内置的接触电阻特征，以三维模式模拟该系统。另一个模型是参考文献中开发的系统的二维近似，通过边界偏微分方程数学接口实现 ... 扩展阅读
MOSCAP 的界面陷阱效应 中文
本教学案例将文献中的实验数据与包含界面陷阱（表面状态）的 MOSCAP COMSOL 模型求解结果进行比较，其中使用“陷阱辅助表面复合”特征模拟陷阱电荷的影响以及陷阱捕获和发射载流子的过程 ... 扩展阅读
硅纳米线环栅元件的表面陷阱 中文
环栅 MOSFET 由纳米线组成，纳米线周围缠绕着栅电极。由于整个纳米线形成沟道，因此这一构型可以实现对沟道的最佳静电控制，并为 MOSFET 的小型化提供了非常好的备选方案。 ... 扩展阅读
PIN 二极管的正向恢复 中文
本教学案例基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 242 页），模拟一个简单 PIN ... 扩展阅读
砷化镓纳米线的自洽薛定谔-泊松结果 中文
此基准模型模拟砷化镓纳米线，其中使用自洽薛定谔-泊松理论计算电子密度分布和限制电势分布。预定义的薛定谔-泊松多物理场耦合特征与专用的薛定谔-泊松研究类型相结合，可简化模型设置和自动创建参数可调的自洽迭代的过程 ... 扩展阅读
PIN 二极管的反向恢复 中文
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
沟槽栅 IGBT 二维模型 中文
在这个由两部分组成的示例的前半部分，我们构建一个沟槽栅 IGBT 二维模型，然后在后半部分将其扩展成三维模型。通常，最有效的方法是从二维模型开始，以确保一切按预期工作，然后再将其扩展到三维。本例将 Caughey ... 扩展阅读
电解质栅极有机场效应晶体管 中文
本模型演示如何基于一般的漂移-扩散模型来模拟电解质栅极有机场效应晶体管，其中使用“稳定对流-扩散方程”和“静电”接口，并显示晶体管特性的可视化效果。所模拟器件中 EDL 的形成过程展示了 EGOFET 的关键特性。 扩展阅读