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模式分析研究用于确定由二氧化硅基体中的气孔组成的微结构光纤 (MOF) 的复合有效折射率。由于有效折射率小于二氧化硅背景材料的折射率，从而导致模泄漏。 模型演示如何使用完美匹配层 (PML) ... 扩展阅读
这个基准示例构建两个跨桥开尔文电阻器模型，用于提取比接触电阻率。第一个模型使用“半导体”接口中内置的接触电阻特征，以三维模式模拟该系统。另一个模型是参考文献中开发的系统的二维近似，通过边界偏微分方程数学接口实现 ... 扩展阅读
SMA 连接器广泛用于印刷电路板 (PCB) 进行测试。此模型介绍如何激励微波基片上的 SMA 连接器，以及如何使用集总端口和气桥终止 50 欧姆的接地共面波导 (GCPW)。 扩展阅读
模型提取硅 p-n 结二极管的 SPICE 参数，用于创建半波整流器的集总元件等效电路模型。将模型与完整器件仿真进行了比较。在示例中，将二维网状 p-n 结二极管连接到包含正弦源、电阻器和接地的电路 ... 扩展阅读
本教学案例模拟并分析在“磁共振成像”(MRI) 过程中，植入三节椎骨中的无源导电植入物（棒材与螺钉）引发的射频加热效应。无源导电植入物附近的射频场会产生局部增强，进而导致朝向植入物表面的组织区域升温。 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的后半部分，我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是，现在可以像在真实设备中一样，沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读
本模型采用单向波公式，通过“波束包络”接口模拟高斯光束到拉盖尔高斯光束成形。输入光束是具有拓扑螺旋相位的聚焦高斯光束。 众所周知，这种相位掩模可以将高斯光束转换为环形光束。光束传播时，相位绕光轴旋转。因此 ... 扩展阅读
典型的电容器由两个导电物体组成，这两个物体之间有电介质。在这两个导体之间施加的电压差在二者之间产生电场，这个电场不仅直接存在于导电物体之间，还会延伸一定的距离，这称为边缘场。为了准确地预测电容器的电容 ... 扩展阅读
