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“超晶格带隙工具”模型有助于设计由两种交替半导体材料（超晶格）构成的周期性结构。此模型采用有效质量薛定谔方程来估计给定超晶格结构中的电子和空穴基态能级。器件工程技术人员可以使用此模型快速计算给定周期结构的有效带隙 ... 扩展阅读
材料受到循环应力作用时产生的热弹性阻尼是设计 MEMS 谐振器时要考虑的一个重要因素，应力引起变形，材料在压应力作用下受热，在拉应力作用下冷却，因此，由于产生的热通量，能量发生损耗，来产生这种阻尼。 ... 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
此模型计算浮栅“电可擦除可编程只读存储器”(EEPROM) 器件的电流和电荷特性。稳态研究针对两种不同电荷存储量计算电流-电压曲线随控制栅压的变化，从而演示改变存储在浮栅上的电荷的效果 ... 扩展阅读
本模型模拟点对板电极结构的负极介质阻挡放电现象。其中在气隙中插入了两层固体介质，并在负极电极上施加 2.5 kV 的负电压，触发并传播电晕流注，同时产生显著的电流脉冲。在此过程中产生的负电荷载流子在气-固界面不断累积 ... 扩展阅读
基于表面等离激元的电路广泛应用于等离子体光子芯片、光产生和纳米刻蚀等应用领域。“表面等离激元线光栅分析仪”App 计算介电基板上表面等离激元光栅的折射系数、镜面反射及一阶衍射随入射角的变化。 此模型描述光栅的基本单元 ... 扩展阅读
本模型模拟 GaN 基发光二极管器件，计算了发射强度、光谱和效率随驱动电流变化的情况，模拟了带隙的直接辐射复合，以及非辐射俄歇复合和陷阱辅助复合过程。仿真结果表明，发射强度随着电流的增加而呈次线性增加，这是 LED ... 扩展阅读
本教学案例演示如何建立脉冲电容放电模型。导通脉冲包含 13.56 MHz 下的 10 个激励周期，以及后续 100 个无激励周期。本例研究 I-V 特性、电子密度、温度和等离子体电位。 扩展阅读
这个教学案例求解由简谐势阱束缚的旋转玻色-爱因斯坦凝聚体中涡格形成的 Gross–Pitaevskii 方程，这本质上是一个非线性单粒子薛定谔方程，粒子间的相互作用通过与局部粒子密度成比例的势能贡献表示 ... 扩展阅读
