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铝镍钴等软永磁体如果处理不当，很容易发生消磁。本例演示如何模拟圆柱形铝镍钴磁铁从相关/保护磁路中移出时的自动消磁。建模过程分为以下三个步骤： 由磁路保护的软磁体。 软磁体进入自由空气时的自动消磁。 ... 扩展阅读
本教学案例演示如何使用“ECAD 导入模块”和“设计模块”基于 GDS 文件来构建三维偏压谐振器几何，其中模拟半导体和 MEMS 制造工艺，从而更有效地构建三维几何，该操作过程对于那些熟悉半导体和 MEMS ... 扩展阅读
本例以渐近的方式研究导电球对给定背景场的雷达散射截面 (RCS) 响应。选定的物理场接口使用 Stratton-Chu 公式将表面背景场转换为远场。本例将计算结果与众所周知的光学领域中导电球的渐近 RCS 值进行比较。 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的前半部分，我们构建一个沟槽栅 IGBT 二维模型，然后在后半部分将其扩展成三维模型。通常，最有效的方法是从二维模型开始，以确保一切按预期工作，然后再将其扩展到三维。本例将 Caughey ... 扩展阅读
本模型演示如何使用内部接触 特征来模拟两根铜母线板在螺栓连接处的接触压力分布。交流电流经组件时，趋向于在导体的外边界附近流动，然而，接触电阻却是在靠近螺栓的区域达到最低值，这是因为该区域的接触压力最大 ... 扩展阅读
本例模型执行特征频率分析以对在 +/- y 方向延伸至无限远处的一维多层光子晶体进行带隙分析。 我们针对三种不同的材料属性进行带隙分析，如参考资料 1 第 4 章所述。 案例 1：epsr1 = 13 ... 扩展阅读
在 MESFET 中，栅极形成整流结，该整流结通过改变结的耗尽宽度来控制沟道的开口。 在此模型中，我们模拟了 n 掺杂砷化镓 MESFET 对不同漏极和栅压的响应。对于 n 型掺杂材料 ... 扩展阅读
本模型演示如何基于一般的漂移-扩散模型来模拟电解质栅极有机场效应晶体管，其中使用“稳定对流-扩散方程”和“静电”接口，并显示晶体管特性的可视化效果。所模拟器件中 EDL 的形成过程展示了 EGOFET 的关键特性。 扩展阅读